韩国两大芯片巨头砸 800 万亿韩元建设新内存工厂
三星 + SK 海力士：西南地区新建四座内存 fab
全球最大的两家内存芯片厂商——三星与 SK 海力士，计划联合投资约 518 亿美元（约合 800 万亿韩元），在韩国西南部新建四座内存工厂。
该计划是韩国国家级投资战略的一部分，涵盖半导体、AI 数据中心和物理 AI 领域，由韩国总统李在明主持的部长级简报会所公布，三星和 SK 海力士两家公司董事长均到场与会。计划共分三个板块：
- 内存芯片板块：518 亿美元用于西南四座新内存 fab，另有 52 亿美元在中部地区建设 HBM（高带宽内存）封装中心。
- AI 数据中心板块：356 亿美元（约合 55 万亿韩元），由 SK、GS、Naver 等韩国科技与能源巨头联合建设，目标截止时间为 2035 年。
综合来看，韩国科技企业已承诺在 AI 及芯片需求领域投入超过 9000 亿美元，力图将国家打造为更具主导地位的 AI 强国。当前，三星、SK 海力士以及美国内存芯片厂商美光均处于历史最高需求水平——这一现象被业内称为"RAMageddon"（内存末日），即 AI 大规模建设所引发的全球内存芯片短缺。
李在明：半导体 + 物理 AI + AI 数据中心是"三重轴心"
总统李在明在周一电视讲话中表示："半导体、物理 AI 和 AI 数据中心是韩国下一产业时代的三大轴心。"他将 2026 年定义为韩国确立"不可替代"产业地位的关键年份。
李在明指出，目前首尔南部韩国"半导体走廊"核心地带——龙仁（Yongin）和平泽（Pyeongtaek）的既有芯片产能"已触及上限"，因此督促企业加速向西南地区扩张布局，以将 AI 红利扩散至首都圈以外。他强调："必须提前确保压倒性的产能优势。" 不过，李在明也反驳了"zf 向企业施压"的媒体报道。据报道，他表示相关投资决策"反映了企业自身的判断"，并指出："zf 的职责是投入自身能力，为企业创造零损失、更有前景的投资条件。"
三星：未来十年投入 1.7 万亿美元，425 万亿流向海南地区
三星同日发布新闻稿，宣布未来十年将投入 2655 万亿韩元（约合 1.7 万亿美元），其中 425 万亿韩元将专门投向海南（Honam）地区——位于朝鲜半岛西南角。
选择在光州（距首尔约 300 公里）新建芯片 fab 的关键因素包括：电力、水资源、劳动力和生活条件等方面的预期激励政策。同时，三星还计划在半岛南端的海安（Haenam）建设一座 AI 数据中心。
SK 集团：中期路线图投入 1.4 万亿美元，建 15 吉瓦数据中心
SK 集团同步公布中长期投资路线图，总规模约 2100 万亿韩元（约合 1.4 万亿美元），其中：
- 1100 万亿韩元用于扩大半导体产能
- 1000 万亿韩元用于建设全国 AI 数据中心
SK 海力士将承担芯片产能扩张的核心任务；SK Telecom 则主导在全国范围内建设总计 15 吉瓦（GW）容量的 AI 数据中心。
风险提示：晶圆厂建设周期长，需求能否持续是未知数
与全球科技巨头相比，韩国的投资规模并非天马行空：谷歌（Alphabet）、亚马逊（Amazon）、Meta 和微软（Microsoft）仅 2026 年一年便计划合计投入 6500 亿美元用于 AI 基础设施。
然而，计划能否兑现仍是未知数。半导体和 AI 等深度科技产业的推进节奏不受政治或客户需求的时间表支配——fab 建设往往需要数年时间，一旦产能就绪时原始需求已退潮，企业将面临产能过剩和价格崩盘的风险。目前，全球 AI 芯片供应链（尤其是内存芯片需求方）正密切关注韩国能否将这份雄心真正落地。
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