SK Hynix 正在与美国芯片巨头英特尔洽谈，计划首次在美国本土生产 DRAM 芯片。
洽谈方案浮出水面
据路透社报道，两家公司已讨论多种合作方案。其中一种方案是由 SK Hynix 租赁英特尔位于美国俄亥俄州的规划工厂空间进行芯片制造。此外，双方还在考虑一种可能引入云服务商参与的合资模式。
SK Hynix 周三对 TechCrunch 表示，相关洽谈仍在进行中，但尚未达成任何确定协议。公司在声明中称："SK Hynix 正在探索各种选项以增强全球竞争力，但目前尚未确定任何具体计划或安排。文章中提到的两种情形均未形成决策。"
业务背景：HBM 需求井喷
SK Hynix 是全球 HBM（高带宽内存）芯片市场的最大供应商，受益于数据中心 AI 应用对内存芯片的爆发式需求，公司收益在 2026 年 7 月大幅增长。公司目前正在印第安纳州西拉法叶（West Lafayette）建设一座耗资 38 亿美元的 AI 芯片先进封装及研发中心，预计 2029 年开始量产。该工厂将使用在韩国制造的 DRAM 晶圆，封装为 HBM 芯片。
若与英特尔的合作最终落地，目前尚不清楚将在俄亥俄州生产何种类型的内存芯片。
政治与产业环境
在全球芯片短缺持续恶化的背景下，特朗普zf 正积极推动芯片产能回流美国。白宫于 2026 年 1 月表示，可能对半导体进口实施更广泛的关税，同时为在美投资建厂的企业提供关税减免优惠。
SK 集团会长崔泰亨（Chey Tae-won）于 2026 年 7 月表态支持在美国建厂，称若条件可行，公司应在美国建设工厂，与韩国海南（Honam）地区的工厂并行推进。同年，该企业在纳斯达克上市美国存托凭证（ADR），扩大了获取美国投资者的渠道。
潜在监督&管理风险
若该协议最终达成，可能面临韩国国内的监督&管理审核&查验。首尔方面认为相关决定权在 SK Hynix，但任何涉及战略重要性芯片技术的计划，均可能触发韩国防止技术外流相关法律的zf 审核&查验程序。
值得注意的是，英特尔与 SK Hynix 此前已有业务往来：2020 年，英特尔以 90 亿美元将 NAND 闪存业务出售给 SK Hynix。
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